主要职责：
1、编写详细的芯片架构规范，设计方法开发和优化；；
2、与芯片设计、核查和验证团队合作，指导成功的产品实施；
3、使用行业标准工具进行晶体管级设计、模拟和布局；
4、开发自动化布局和验证流程。
工作要求:
1、硕士及以上学历，计算机科学、电气与电子工程、材料科学等相关专业；
2、至少2年非易失性内存芯片设计（FeRAM, MRAM, PCM, ReRAM 或 Flash ）的经验，嵌入式和/或独立内存芯片；
3、RTL 设计（Verilog 或 VHDL）经验，以及使用模拟器和调试工具的经验；
4、具有逻辑综合、可测试设计 (DFT) 插入和前段验证方面的经验；
5、具有物理综合和物理版图验证方面的经验；
6、具有先进 FinFET 节点中的低功耗存储芯片设计经验；
7、了解主流存储芯片的结构和问题，了解可测试设计 (DFT)、良率和可制造性设计 (DFM) 问题。
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